Fazių keitimo atmintis yra laisvosios kreipties atminties (RAM) lusto tipas, kuriame naudojami chalkogenido stiklo fazės keitimo gebėjimai. Šis stiklas gali keisti būsenas pagal šilumą ir srovę, o fazių kaitos atmintis tiesiogine prasme keičia savo fizinę būseną veikimo metu, o tai lemia didesnę atminties talpą. Kaip ir daugelis kitų RAM lustų, fazių keitimas yra nepastovus, o tai dažnai yra nuolatinis ir geriau veikiantis atminties tipas. Viena iš pagrindinių problemų naudojant ir kuriant šio tipo atmintį taip pat yra jos pranašumas: dėl šilumos ir srovės keičiasi atminties būsena, todėl jos turi būti efektyviai kontroliuojamos.
Dauguma RAM lustų yra pagaminti iš elektroninių komponentų, tačiau fazių keitimo atmintis prideda prie lusto kitos medžiagos. Chalkogenido stiklas buvo naudojamas daugeliui gaminių, tokių kaip kompaktiniai diskai (CD), ir gali keisti savo fizinę būseną, reaguodamas į šilumą ir srovę. Dvi bendros būsenos, per kurias praeina šis stiklas, yra amorfinė ir kristalinė; abu yra labai skirtingi ir suteikia šiai RAM lustai pranašumų prieš kitus tipus.
Ryškiausias fazės keitimo atminties pranašumas, palyginti su kitomis atminties lustais, yra padidėjęs atminties slenkstis. Kiekviena būsena yra skirtinga, todėl atmintis gali būti vienodai saugoma kiekvienoje būsenoje. Tai reiškia, kad fazės keitimo RAM dažnai gali turėti du kartus daugiau atminties nei kitose RAM lustuose. Tai pagerina RAM našumą ir leidžia kompiuteriui naudoti mažesnius lustus, todėl visa sistema gali būti mažesnė.
Daugelis RAM lustų yra nepastovios, o fazių keitimo atmintis priklauso šiai klasifikacijai. Kai kompiuteris yra išjungtas, elektra nuteka iš visų techninės įrangos dalių, todėl gali arba ne prarasti RAM atmintį. Jei lustas yra nepastovus, dėl elektros praradimo atmintis išnyks, o nepastovūs lustai atmintį išlaiko valandas. Nors tai gali būti nenaudinga, jei kompiuteris ilgą laiką išjungtas, tai leidžia fazės keitimo RAM lengvai paleisti kompiuterį, jei atmintis vis dar yra saugoma.
Nors fazės keitimo atmintis turi pranašumą, nes ji gali keisti būsenas, tai taip pat yra problema kuriant stabilų fazės keitimo RAM lustą. Šiluma ir srovė keičia atminties būseną, todėl abu šie veiksniai turi būti kontroliuojami arba gali sumažėti atminties talpa. Tai reiškia, kad kompiuteriams, naudojantiems tokio tipo atmintį, dažnai reikia stiprios aparatinės įrangos, kuri išlaiko šilumą ir srovę stabilią net ir per ilgą apdorojimo laiką.